| Если Вы используете в производстве микросхемы энергонезависимой памяти Flash и EEPROM таких компаний как Samsung Electronics, Onsemi, Microchip Technology, STMicroelectronics, Renesas и ISSI то эта статья может быть Вам полезна (особенно, если Вы столкнулись с дефицитом нужных компонентов или рассматриваете аналоги от китайских производителей). |
Микросхемы памяти играют важную роль в современной электронике, обеспечивая хранение и доступ к данным в различных устройствах от компьютеров и мобильных телефонов до бытовой техники. Они представляют собой интегральные схемы, которые состоят из множества миниатюрных электронных компонентов на кремниевой подложке – транзисторов и конденсаторов, которые в свою очередь позволяют сохранять информацию в виде битов (нулей и единиц).
Микросхемы энергонезависимой памяти (NVM – Non-Volatile Memory) – используются для длительного хранения информация вне зависимости от подводимого напряжения питания. Применяют в различных областях, где требуется надежное хранение данных даже без использования постоянного электропитания.
Существует два основных типа микросхем энергонезависимой памяти:
- Flash-память (Flash memory)
- EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)
Flash-память широко используется в USB-накопителях, твердотельных накопителях (SSD), картах памяти и других устройствах. Она позволяет записывать, удалять и перезаписывать данные, что делает ее удобной для хранения изменяемой информации.
Flash-память состоит из ячеек, каждая из которых может хранить несколько битов информации. Запись данных происходит путем изменения состояния ячейки с помощью электрического заряда – он фиксирует данные. Для стирания данных используется высокое напряжение – оно возвращает ячейку в исходное состояние. Однако процесс стирания может быть медленным (по сравнению с другими типами NVM, например с EEPROM), так как он осуществляется блоками.
EEPROM память, в свою очередь, позволяет электрически стирать и перепрограммировать данные с меньшими блоками и без необходимости полного стирания. Такие микросхемы часто используются для хранения небольших объемов данных, таких как системные настройки, серийные номера, калибровочные данные и прочие.
Ведущими производителями энергонезависимой памяти на сегодняшний день являются Samsung Electronics, Onsemi, Microchip Technology, STMicroelectronics, Renesas и ISSI. Однако из-за общемирового дефицита полупроводников и известных внешнеполитических событий отечественным разработчикам трудно получить их продукцию. Тем не менее, благодаря китайским компаниям Belling и Giantec микросхемы памяти остаются доступными для России и сейчас.
Shanghai Belling Co., Ltd. основана Шанхайским приборостроительным бюро и Shanghai Bell в 1988 году. В июле 2015 года Huada Semiconductor Co., Ltd. стала её крупнейшим акционером.
Продукция: полевые транзисторы, операционные усилители, компараторы, АЦП, микросхемы для счетчиков электроэнергии и др.
Компоненты Belling применяются в счетчиках электроэнергии, источниках питания, мобильных телефонах, телевизорах, игровых консолях и других видах потребительской электроники.
Компания Belling выпускает микросхемы памяти EEPROM с объемом от 2 Кб до 2 Мб, которые обеспечивают надежность до 1 миллиона циклов записи и срок хранения данных до 100 лет.
Ассортимент включает несколько серий, отличающихся напряжением питания, интерфейсом и корпусом:
- BL24Cxx,
- BL24SAxx,
- BL25Cxx,
- BL34Cxx,
- BL34TSxx.
Серия BL24Cxx, оснащенная интерфейсом I2C со скоростью до 1 МГц, является наиболее широкой. Объем памяти варьируется от 2 Кб до 2 Мб, а скорость записи достигает 3 мс. Напряжение питания составляет от 1,7 В до 5,5 В, что делает эти микросхемы подходящими для коммерческих и промышленных устройств, включая малопотребляющие.
Серия BL24Cxx доступна в популярных корпусах: DIP8, SOP8, TSSOP8, UDFN8, TSOT23-5 и SOT23-5. Её основные характеристики и аналоги других брендов представлены ниже в таблице.
| Наименование компонента | Объем памяти | Температурный диапазон | Корпус | Аналог |
|---|---|---|---|---|
| BL24C02A-PARC | 2 Кб | От -40 °C до +85 °C | SOP-8 | M24C02-RMN6P (STM), AT24C02C-SSHM-T (Microchip) |
| BL24C08AE0-SFRC | 8 Кб | От -40 °C до +125 °C | TSSOP-8 | M24C08-DRDW3TP/K (STM), NV24C08DTVLT3G (Onsemi) |
| BL24C16A-DARC | 16 Кб | От -40 °C до +85 °C | DIP-8 | AT24C16D-PUM (Microchip), BR24T16-WZ (ROHM) |
| BL24C32A-NTRC | 32 Кб | От -40 °C до +85 °C | UDFN8 | AT24C32E-MAHM-T (Microchip), CAT25320HU4I-GT3 (Onsemi) |
| BL24C256AE1-PARC | 256 Кб | От -40 °C до +105 °C | SOP-8 | M24256-DRMN8TP/K (STM) |
| BL24C512AE0-TCRC | 512 Кб | От -40 °C до +125 °C | SOT23-5 | 24FC512T-E/OT (Microchip) |
| BL24CM1A-PARC | 1 Мб | От -40 °C до +85 °C | SOP-8 | CAT24M01WI-GT3 (Onsemi), AT24CM01-SSHM-T (Microchip) |
Серия BL24SAxx включает микросхемы в миниатюрном корпусе WLCSP-4 с интерфейсом I2C, поддерживающим скорости до 1 МГц. Доступны два варианта объема памяти: 64 Кб и 128 Кб, а скорость записи достигает 3 мс.
| Наименование компонента | Объем памяти | Температурный диапазон | Корпус | Аналог |
|---|---|---|---|---|
| BL24SA64-CS | 64 Кб | От -40 °C до +85 °C | WLCSP-4 | CAT24S64C4ATR (Onsemi) |
| BL24SA128B-CS | 128 Кб | От -40 °C до +85 °C | WLCSP-4 | CAT24S128C4ATR (Onsemi) |
В ассортименте Belling, помимо EEPROM с интерфейсом I2C, есть микросхемы SPI серии BL25Cxx. Они выпускаются в корпусах SOP-8 и WLCSP-8 и работают при напряжении от 2,8 В до 5,5 В. Время записи составляет 8 мс.
| Наименование компонента | Объем памяти | Температурный диапазон | Корпус | Аналог |
|---|---|---|---|---|
| BL25C02AE1-PARC | 2 Кб | От -40 °C до +105 °C | SOP-8 | S-25C020A0H-J8T2UD (ABLIC) |
| BL25C16A-PARC | 16 Кб | От -40 °C до +85 °C | SOP-8 | CAT25160VI-GT3 (Onsemi), 25C160-I/SN (Microchip) |
| BL25C64A- CSRC | 64 Кб | От -40 °C до +85 °C | WLCSP-8 | M95640-DFCT6TP/K (STM) |
| BL25C512AE0-PARC | 512 Кб | От -40 °C до +125 °C | SOP-8 | CAV25512VE-GT3 (Onsemi), BR25H512FJ-5ACE2 (ROHM) |
| BL25CM2A-CSRC | 2 Мб | От -40 °C до +85 °C | WLCSP-8 | M95M02-DRCS6TP/K (STM) |
Также Belling предлагает специализированные микросхемы EEPROM для использования в модулях DRAM DIMM, предназначенные для сохранения конфигурационных параметров и поддерживающие интерфейс SMBus. Эти микросхемы представлены сериями BL34Cxx и BL34TSxx.
Серия BL34Cxx включает модели с объемом памяти 2 Кб и 4 Кб, работающие при напряжении от 1,7 В до 3,6 В и с временем цикла записи 3 мс. Они доступны в корпусах SOP-8, UDFN-8 и TSSOP-8.
Серия BL34TSxx представлена только моделью с объемом 4 Кб и также работает при напряжении от 1,7 В до 3,6 В, но включает встроенный датчик температуры с погрешностью 1-3%. Эти микросхемы выпускаются в корпусе UDFN-8.
Ниже в таблице приведены основные характеристики моделей серий BL34Cxx и BL34TSxx, а также их аналоги.
| Наименование компонента | Объем памяти | Температурный диапазон | Корпус | Аналог |
|---|---|---|---|---|
| BL34C02A-SFRC | 2 Кб | От -40 °C до +125 °C | TSSOP-8 | CAT34C02YI−GT5 (Onsemi) |
| BL34C04A-PARC | 4 Кб | От -40 °C до +125 °C | SOP-8 | AT34C04D-SSHM-B (Microchip) |
| BL34TS04A-NTRC | 4 Кб | От -40 °C до +125 °C | UDFN-8 | S-34TS04L0B-A8T5U5 (ABLIC) |
Giantec Semiconductor Corporation основана в 2009. Ее продукция включает в себя микросхемы EEPROM, Flash-памяти типа NOR, драйверы VCM и микросхемы для смарт-карт.
Компания предлагает широкий выбор микросхем для потребительского, промышленного и автомобильных рынков с надежностью до 1 миллиона операций записи и сроком хранения данных до 100 лет. Объемы варьируются от 2 Кб до 2 Мб, и микросхемы поддерживают интерфейсы I2C, SPI и Microwire.
Основные серии Giantec:
- GT24Cxx,
- GT25Cxx,
- GT93Cxx,
- GT34Cxx,
- GT34TSxx.
Серия GT24Cxx аналогична BL24Cxx от Belling, поддерживает напряжение от 1,7 В до 5,5 В и выпускается в различных корпусах (DIP-8, SOP-8 и др.). Основное отличие — время цикла записи: для GT24Cxx оно составляет 5 мс, тогда как для BL24Cxx — 3 мс.
Основные характеристики серии представлены в таблице, включая аналоги других брендов.
| Наименование компонента | Объем памяти | Температурный диапазон | Корпус | Аналог |
|---|---|---|---|---|
| GT24C02B-2GLI-TR | 2 Кб | От -40 °C до +85 °C | SOP-8 | M24C02-RMN6P (STM), AT24C02C-SSHM-T (Microchip) |
| GT24C04B-3ZLA3-TR | 4 Кб | От -40 °C до +125 °C | TSSOP-8 | M24C04-DRDW3TP/K (STM), NV24C04DTVLT3G (Onsemi) |
| GT24C64B-2PLI | 64 Кб | От -40 °C до +85 °C | DIP-8 | 24C65-I/P (Microchip), CAT24C64LI-G (Onsemi) |
| GT24C256B-3UDLA3-TR | 256 Кб | От -40 °C до +125 °C | UDFN-8 | BR24H256NUX-5ACTR (ROHM), AT24C256C-MAPD-E (Microchip) |
| GT24C2048H-4GLI-TR | 2 Мб | От -40 °C до +85 °C | SOP-8 | M24M02-DRMN6TP (STM), AT24CM02-SSHD-B (Microchip) |
Серия GT25Cxx, как и в случае с BL25Cxx, является EEPROM с интерфейсом SPI, поддерживающим частоту передачи данных до 20 МГц. Выпускаются в корпусах SOP-8, TSSOP-8 и UDFN-8.
| Наименование компонента | Объем памяти | Температурный диапазон | Корпус | Аналог |
|---|---|---|---|---|
| GT25C08A-2GLI-TR | 8 Кб | От -40 °C до +85 °C | SOP-8 | AT25080B-SSHL-T (Microchip), R1EX25008ASA00I#S0 (Renesas) |
| GT25C32A-2ZLI-TR | 32 Кб | От -40 °C до +85 °C | TSSOP-8 | CAT25320YI-GT3 (Onsemi), M95320-WDW6TP (STM) |
| GT25C128A-3UDLA3-TR | 128 Кб | От -40 °C до +125 °C | UDFN-8 | AT25128B-MAPDGV-E (Microchip), NV25128DWHFT3G (Onsemi) |
| GT25C512A-3ZLA3-TR | 512 Кб | От -40 °C до +125 °C | TSSOP-8 | M95512-DRDW3TP/K (STM) |
| GT25C1024-2GLI-TR | 1024 Кб | От -40 °C до +85 °C | SOP-8 | CAT25M01VI-GT3 (Onsemi), M95M01-RMN6TP (STM) |
В ассортименте Giantec также имеются микросхемы EEPROM с интерфейсом Microwire – серия GT93Cxx. Этот последовательный полнодуплексный трехпроводный интерфейс обеспечивает скорость передачи данных до 3 Мб/с. Имеют объем памяти от 1 Кб до 16 Кб и выпускаются в корпусах SOP-8, TSSOP-8, DIP-8 и UDFN-8. Они работают при напряжении от 1,8 В до 5,5 В.
| Наименование компонента | Объем памяти | Температурный диапазон | Корпус | Аналог |
|---|---|---|---|---|
| GT93C46A-2GLI-TR | 1 Кб | От -40 °C до +85 °C | SOP-8 | 93C46B-I/SN (Microchip), CAT93C46BVI-GT3 (Onsemi) |
| GT93C76-2PLI | 8 Кб | От -40 °C до +85 °C | DIP-8 | 93LC76C-I/P (Microchip), CAT93C76LI-G (Onsemi) |
| GT93C86-3UDLA3-TR | 16 КБ | От -40 °C до +125 °C | UDFN-8 | NV93C86BMUW3VTBG (Onsemi) |
Giantec выпускает специальные серии EEPROM-памяти GT34Cxx и GT34TSxx для модулей DRAM DIMM. Обе представлены в вариантах с объемом 2 Кб и 4 Кб, при этом GT34TSxx оснащена встроенным датчиком температуры.
Микросхемы выпускаются в корпусах SOP-8, TSSOP-8 и UDFN-8.
| Наименование компонента | Объем памяти | Температурный диапазон | Корпус | Аналог |
|---|---|---|---|---|
| GT34C02B-2ZLI-TR | 2 Кб | От -40 °C до +85 °C | TSSOP-8 | CAT34C02YI-GT5A (Onsemi) |
| GT34C04-2GLI-TR | 4 Кб | От -40 °C до +85 °C | SOP-8 | AT34C04-SS5M-B (Microchip) |
| GT34TS02B-2UDLI-TR | 2 Кб | От -40 °C до +85 °C | UDFN-8 | CAT34TS02VP2GT4C (Onsemi) |
| GT34TS04A-2UDLI-TR | 4 Кб | От -40 °C до +125 °C | UDFN-8 | CAT34TS04VP2GT4B (Onsemi) |
Компания Giantec также выпускает микросхемы Flash-памяти. Серии GT25D и GT25Q имеют объем от 512 Кб до 256 Мб. Производятся в стандартных корпусах SOP-8, TSSOP-8, WSON-8 и WLCSP-8 с интерфейсом SPI. Срок хранения данных этих микросхем достигает 50 лет, а количество циклов записи/стирания может доходить до 200 000.
Диапазоны напряжения питания:
- от 1,65 В до 3,6 В,
- от 2,7 В до 3,6 В,
- от 1,65 В до 1,95 В.
В таблице представлены некоторые Flash-памяти компании Giantec с их основными характеристиками и аналогами.
| Наименование компонента | Объем памяти | Напряжение питания | Температурный диапазон | Корпус | Аналог |
|---|---|---|---|---|---|
| GT25D05E-UWLI-TR | 512 Кб | От 1,65 В до 3,6 В | От -40 °C до +85 °C | SOP-8 | AT25DF512C-SSHN-T (Renesas), GD25WD05CTIGR (GigaDevice) |
| GT25D20E-H | 2 Мб | От 2,7 В до 3,6 В | От -40 °C до +85 °C | TSSOP-8 | GD25Q20COIGR (GigaDevice) |
| GT25Q40D-UWSLA1-TR | 4 Мб | От 1,65 В до 3,6 В | От -40 °C до +125 °C | WSON-8 | AT25XE041B-MHNHR-T (Renesas) |
| GT25Q16A-HCSLI-TR | 16 Мб | От 2,7 В до 3,6 В | От -40 °C до +85 °C | WLCSP-8 | W25Q16JVBYIQ TR (Winbond), AT25SF161B-UUB-T (Renesas) |
| GT25Q32B-LWLI-TR | 32 Мб | От 1,65 В до 1,95 В | От -40 °C до +85 °C | SOP-8 | W25Q32FWSSIG (Winbond) |
| GT25Q128A-HWLA2-TR | 128 Кб | От 2,7 В до 3,6 В | От -40 °C до +105°C | SOP-8 | IS25LP128-JBLE (ISSI), S25FL127SABMFV101 |
Китайские компании готовы удовлетворить все ключевые потребности российских разработчиков и производителей в области микросхем памяти EEPROM и Flash-памяти. Компоненты Belling и Giantec не уступают по характеристикам западным аналогам, и при том их стоимость гораздо ниже.
! Вся документация на компоненты предоставляется на английском языке !
Свяжитесь с нами и получите квалифицированную помощь по продуктам у наших специалистов.