Транзисторы – это электронные устройства, которые являются ключевыми компонентами в современной электронике. Они выполняют роль усилителей, коммутаторов и ключей в широком спектре устройств, начиная от простых радиоприемников до сложных компьютеров и смартфонов.

Слово «транзистор» образовано от «transfer resistor» (переносной резистор), и они были открыты в середине 20 века как замена лампам, преодолевая их недостатки размера, энергопотребления и надежности.

Полевой транзистор
(Field-Effect Transistor, FET или МОП-транзистор)

Представляет собой устройство, управляемое электрическим полем и состоит из трех областей:
• истока (Source)
• стока (Drain)
• затвора (Gate)

Основным элементом управления является затвор, который контролирует ток между источником и стоком. МОП-транзистор обладает высоким входным сопротивлением, что делает его идеальным для усиления слабых сигналов.

Биполярный транзистор
(Bipolar Junction Transistor или BJT)

Состоит из трех слоев полупроводникового материала. Эти слои называются:
• эмиттером (Emitter)
• базой (Base)
• коллектором (Collector)

Управление током между эмиттером и коллектором осуществляется путем изменения тока между базой и эмиттером. Преимущества биполярных транзисторов включают высокую усилительную способность и относительно низкую чувствительность к статическим электромагнитным полям. Они также могут быть легко использованы в качестве коммутационных устройств для управления большими токами.

Основное различие между полевыми и биполярными транзисторами заключается в методе управления током. Полевые транзисторы управляются напряжением, в то время как биполярные транзисторы управляются током. Из-за этой разницы у них различные области применения.

Полевые транзисторы часто используются в устройствах с низким энергопотреблением, таких как мобильные устройства, усилители радиосигналов и в микропроцессорах.

Биполярные транзисторы находят широкое применение в усилителях мощности, коммутационных устройствах, стабилизаторах напряжения и интегральных схемах.

Представляем одну из ведущих китайских компаний — Youtai Semiconductor Co (UMW), которая была основана в Гонконге в 2013 году. Сегодня ее штаб-квартира и центр продаж расположены в Шэньчжэне (провинция Гуандун). Производственная база расположена в районе Дазу, Чунцин.

UMW выпускает широкий ассортимент различных полупроводников:
• микросхемы управления питанием
• LDO-стабилизаторы
• источники опорного напряжения
• приемопередатчики интерфейса RS-485
и многое другое.

Кроме прочего, в ассортименте UMW широко представлены полевые и биполярные транзисторы.

Полевые транзисторы

Компания UMW имеет более 500 наименований в линейке полевых транзисторов. Ассортимент MOSFET включает в себя N-канальные и P-канальные устройства (а также модели с двумя N-каналами).

К основным семействам полевых транзисторов можно отнести:
• AOxxxx
• MMBTAxx
• IRFxxxx
• IRLMLxxxx
• STDxx
• FDN3xx
• FDV3xx
• SIxxxx
• 1Nxx
• 2Nxx
• 4Nxx
• 7Nxx
• 10Nxx
• 25Nxx
• 35Nxx
• 40Nxx
• 50Nxx
• BSSxxx
• BSOxxx

N-канальные транзисторы

Напряжение: сток-исток от 20В до 650В; ток стока от 115мА до 90А
Корпуса: TO-220, TO-252, TO-263, SOT-23 и SOT-223 (рисунок 1)

Рисунок 1. Корпуса N-канальных полевых транзисторов
компании UMW с расположением выводов.

В таблице 1 можно видеть ряд N-канальных транзисторов компании UMW с приведением их основных характеристик и указанием известных аналогов.

P-канальные транзисторы

Напряжение: сток-исток от 12В до 50В; ток стока от 130мА до 12А
Корпуса: SOT-23 и SOP-8 (рисунок 2)

Рисунок 2. Корпуса P-канальных полевых транзисторов
компании UMW с расположением выводов.

В таблице 2 можно видеть некоторые P-канальные транзисторы компании UMW с приведением их основных характеристик и указанием известных аналогов.

Сдвоенные N-канальные транзисторы

Напряжение: 20В и 50В
Корпус: SOT-23-6 (рисунок 3)

Рисунок 3. Корпус сдвоенных N-канальных полевых транзисторов
компании UMW с расположением выводов.

В таблице 3 приведены характеристики двухканальных компонентов, а также указаны их аналоги от ведущих производителей.

Биполярные транзисторы (типов NPN и PNP)

В линейку биполярных транзисторов входят следующие семейства:
• BC8xx
• MMBTxxx
• 2SA(C)xxx
• Sxxxx
• SSxxxx

NPN-транзисторы

Напряжение: коллектор-эмиттер от 15В до 300В; ток коллектора от 50мА до 1,5А
Корпуса: SOT23-3 и TO-92 (рисунок 4)

Рисунок 4. Корпуса биполярных NPN-транзисторов
компании UMW с расположением выводов.

В таблице 4 представлены некоторые NPN-транзисторы компании UMW с их характеристиками и аналогами.

PNP-транзисторы

Напряжение: коллектор-эмиттер от 25В до 300В; ток коллектора от 100мА до 1,5А
Корпус: SOT23-3 (рисунок 5)

Рисунок 5. Корпус биполярных PNP-транзисторов
компании UMW с расположением выводов.

В таблице 5 можно видеть представителей ассортимента PNP-транзисторов компании UMW с указанием основных характеристик и аналогов производства других брендов.

Полевые и биполярные транзисторы от компании UMW не уступают по качеству брендовым аналогам и при этом заметно дешевле их. Важно отметить, что вся документация предоставляется на английском языке.

Вы всегда можете получить консультацию по этим продуктам в компании «Матрикс Электроника», которая является официальным партнёром UMW в России