Микросхемы Flash-памяти компании XTX Technology

Во многих современных электронных устройствах микросхемы Flash-памяти являются одними из ключевых компонентов, так как без них невозможно длительное и надежное хранение информации, с которой работает электронное устройство.  По данным аналитического агентства Market Research Future совокупный среднегодовой темп роста рынка Flash-памяти будет составлять 4,9%, и к 2025 году его объем составит 80 млрд. долларов США. Примечательно, что доминирующим регионом в производстве и поставках микросхем Flash-памяти (как NOR, так и NAND), будет являться Азия.

В прошлой статье мы представили обзор китайских производителей микросхем Flash-памяти, среди которых упоминалась компания XTX Technology. Именно о ней расскажем подробнее сегодня.

XTX Technology Inc. (далее именуемая XTX) была основана 18 апреля 2014 года и на сегодняшний день является высокотехнологичным предприятием КНР, специализирующимся на разработке микросхем Flash-памяти. По информации, предоставленной компанией XTX, она уже занимает 1% мирового рынка Flash-памяти типа SPI NOR, как показано на круговой диаграмме ниже.

XTX имеет большой ассортимент Flash-памяти, куда входят микросхемы как NOR Flash, так и NAND Flash, при этом продукты компании охватывают широкий диапазон плотности хранения информации от 1 Мбит до 8 Гбит, что свидетельствует о возможности XTX удовлетворить различные потребности разработчиков электронных устройств, в которых предусматривается хранение информации.

Основными продуктами XTX являются микросхемы NOR Flash серии XT25, которые широко используются в потребительской электронике, промышленном и медицинском оборудовании, телекоммуникационной аппаратуре, устройствах Интернета вещей и т.п. Микросхемы Flash-памяти типа SPI NOR представлены в различных версиях с объемом от 2 Мбит до 1 Гбит и диапазонами питающего напряжения от 2,7 В до 3,6 В, от 1,65 В до 2,1 В и от 1,65 В до 3,6 В, при этом они выпускаются в корпусах SOP8, SOP16, и DFN8/WSON8. Расположение выводов микросхем XTX совпадает с расположением выводов многих продуктов известных компаний, таких как Winbond, Macronix, GigaDevice, и на рисунке 2 показано расположение выводов микросхем памяти NOR Flash компании XTX для популярных корпусов SOP8 и DFN8/WSON8.

В таблице 1 приведен ряд компонентов компании XTX и соответствующие им по объему памяти и расположению выводов микросхемы ведущих производителей Flash-памяти.

Микросхемы Flash-памяти типа NOR компании XTX характеризуются низким энергопотреблением. Так, потребляемый ток в режиме ожидания может в среднем составлять 12 мкА, а в режиме глубокого сна может опускаться до 60 нА. Также данные микросхемы характеризуются высокой надежностью – они выдерживают 100000 циклов стирания/записи и могут хранить информацию на протяжении до 20 лет.

Помимо NOR Flash компания XTX также выпускает микросхемы памяти NAND Flash, как с параллельным интерфейсом, так и с последовательным интерфейсом, а также NAND MCP. Память NAND Flash с последовательным интерфейсом SPI представлена серией XT26 и охватывает диапазон плотности хранения информации от 1 Гбит до 4 Гбит. Эти микросхемы выпускаются в корпусах WSON8, LGA8 и TFBGA24, а их рабочее напряжение в зависимости от версии составляет от 1,7 В до 1,95 В или от 2,7 В до 3,6 В. На рисунке 3 показано расположение выводов микросхем SPI NAND компании XTX в корпусах LGA8 и TFBGA24, а в таблице 2 приведено несколько микросхем SPI NAND компании XTX и соответствующие им по объему памяти и расположению выводов микросхемы ведущих производителей.

Также к ассортименту микросхем памяти NAND Flash с последовательным интерфейсом компании XTX можно отнести продукты серии XTSD, которые представляют собой специализированные микросхемы Flash-памяти с высокоскоростным контроллером SD, предназначенные для приложений потребительской электроники, таких как игрушки, устройства Bluetooth и носимые устройства. Они размещаются в корпусе LGA8, имеют напряжение питания 3,3 В и обладают объемом до 8 Гб (XTSD08GLGEAG).

Память NAND с параллельным интерфейсом представлена серией XT27, которая также охватывает диапазон плотности хранения информации от 1 Гбит до 4 Гбит. Данные микросхемы выпускаются в корпусах BGA24, BGA63 и TSOP48, их рабочее напряжение в зависимости от версии составляет от 1,7 В до 1,95 В или от 2,7 В до 3,6 В. На рисунке 4 представлено расположение выводов микросхем NAND Flash с параллельным интерфейсом компании XTX в корпусах BGA24 и TSOP48, а в таблице 3 приведен ряд микросхем NAND Flash с параллельным интерфейсом производства XTX и соответствующие им по объему памяти и расположению выводов микросхемы ведущих производителей.

Помимо этого, XTX выпускает микросхемы памяти на основе технологии Multi-chip package (MCP), которые представляют собой комбинацию памяти NAND и DRAM. Такой стек чипов позволяет упростить проектирование устройства и сэкономить место на печатной плате. Микросхемы NAND MCP предлагаются в корпусах BGA162 и BGA149 (только для модели XT63M4G8E6TM-CBBEA), имеют напряжение питание от 1,7 В до 1,95 В. На рисунке 5 показано расположение выводов микросхем NAND MCP компании XTX в корпусе BGA162. Они выпускаются в следующих конфигурациях: 1G1GD2 (1 Гб NAND Flash и 1 Гб DDR2), 2G1GD2, 2G2GD2, 4G2GD2 и 4G4GD4. В таблице 4 приведены микросхемы NAND MCP производства XTX и соответствующие им по объему памяти и расположению выводов микросхемы компании Winbond, которая считается лидером рынка NAND MCP.

Таким образом, благодаря компании XTX многие разработчики могут удовлетворить практически все свои потребности в микросхемах Flash-памяти, поскольку в её ассортименте можно найти память, начиная от NOR SPI и заканчивая NAND MCP. Эти микросхемы совместимы по выводам с большинством продуктов ведущих производителей и не уступают им по рабочим характеристикам.

Оставьте заявку, и инженеры Матрикс Электроника помогут с подбором аналогов микросхем Flash-памяти XTX и других азиатских производителей: info@gcmatrix.com.